III-V족 화합물 반도체 나노 구조와 그래핀을 이용한 소자 및 이의 제조방법
기본 정보
기술 내용
요약
본 발명은 기판위에 전사된 하부 그래핀 전도층과 상부 그래핀 전도층 사이에 다양한 두께, 길이 및 공간밀도를 가지는 III-V족 화합물 반도체 나노와이어를 광흡수층으로 삽입하여 제작하는 광전소자를 제공한다. 본 발명은 기판, 상기 기판위에 전사된 하부 전도층, 상기 하부 전도층 상에 전사된 상부 전도층 및 상기 상부 전도층과 하 부 전도층 사이에 위치하는 반도체 나노와이어층을 포함하는 반도체소자에 있어서, 상기 반도체 나노와이어는 기 판에 수평방향으로 분포하도록 분산된 것을 특징으로 하는 반도체 소자를 제공한다.
기술 개요
기판 위에 전사된 상하부 그래핀 전도층 사이에 다양한 두께, 길이, 공간밀도를 가지는 III-V족 화합물 반도체 나노와이어를 광흡수층으로 삽입한 소자 제조 기술
기술 분야
본 발명은 III-V족 화합물 반도체 나노 구조와 그래핀을 이용한 소자에 관한 [0001] 것으로서, 더욱 상세하게는 기판위 에 전사된 하부 그래핀 전도층과 상부 그래핀 전도층 사이에 다양한 두께, 길이 및 공간밀도를 가지는 III-V족 화합물 반도체 나노와이어를 광흡수층으로 삽입하여 제작하는 광전소자에 관한 것이다
해결하고자 하는 과제
본 발명의 목적은, 기판위에 전사된 하부 그래핀 전도층과 상부 그래핀 전도층 [0007] 사이에 다양한 두께, 길이 및 공 간밀도를 가지는 III-V족 화합물 반도체 나노와이어를 광흡수층으로 삽입하여 제작하는 광전소자를 제공하는 것이다.
효과
[0019] 본 발명에 의한 반도체소자는 기존의 반도체소자가 가진 단점인 낮은 광전변환 효율을 개선함과 동시에 외력에 의하여 휨 현상이 발생하는 경우에도 소자의 특성변화가 최소화됨에 따라 높은 효율 및 내구성을 가질 수 있어 광센서 및 태양전지의 제조에 유용하게 사용될 수 있다.
적용 분야
광센서, 태양전지, LED 등 광전소자
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