캘빈 프로브 현미경을 활용한 표면전위 측정방법
기본 정보
기술명
캘빈 프로브 현미경을 활용한 표면전위 측정방법
발명의 명칭
캘빈 프로브 현미경을 활용한 표면전위 측정방법
출원번호
10-2016-0104043
등록번호
10-1853311
출원일자
2016-08-17
등록일자
2018-04-24
특허권자
전주대학교 산학협력단
발명자
이혜성, 임인섭
조회수
1
좋아요
0
기술 내용
요약
본 발명의 실시예에 따른 캘빈 프로브 현미경을 활용한 표면전위 측정방법은 적어도 하나 이상의 전도성 팁을 사용하여 표준시료의 표면전위값을 측정하는 단계, 적어도 하나 이상의 전도성 팁을 상기 표준시료의 표면전위값 에 의해서 분류하는 단계, 분류된 상기 전도성 팁으로 캘빈 프로브 현미경을 이용하여 측정시료의 표면전위값을 측정하는 단계, 상기 표준시료의 표면전위값과 측정시료의 표면전위값을 비교하여 측정시료의 표면전위값을 보정 하는 단계를 포함한다.
기술 개요
캘빈 프로브 현미경을 활용하여 전도성 팁을 사용하여 표준시료의 표면 전위 값을 측정하며, 측정시료의 표면 전위 측정값을 비교하여 측정 시료의 표면 전위 값을 보정
기술 분야
본 발명은 캘빈 프로브 현미경(KPFM)을 활용한 표면전위 측정방법에 관한 것으로서, [보다 상세하게는 캘빈 프로 브 현미경을 이용하여 측정된 표면전위값의 신뢰도를 향상시키기 위한 측정방법에 관한 것이다.
해결하고자 하는 과제
[0010] 본 발명의 목적은 캘빈 프로브 현미경을 이용하여 소자의 표면전위를 측정하더라도 신뢰성 있는 표면전위값을 획득할 수 있는 표면전위측정방법을 제공하는데 있다.
효과
[0017] 본 발명의 실시예에 따른 표면전위측정방법에 의하면, 수 나노미터 내지는 수 마이크로미터 수준의 박막 표면전 위값을 정확하게 측정할 수 있다. [0018] 또한, 비교적 간단한 방법을 통해서 표면전위값을 측정할 수 있으며, 별도의 측정장치를 설치하거나 활용할 필 요없이 캘빈 프로브 현미경을 활용하여 측정할 수 있다.
적용 분야
반도체 후공정 검사
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부가 정보
거래 유형
협의
금액(만원)
협상
기술보유기관
전주대학교 산학협력단
TRL(기술성숙도)
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키워드
표면전위
다층 박막 구조
캘빈 프로브 현미경
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