임피던스 조정 회로
임피던스 조정 회로
기본정보
| 카테고리 | 융복합소재 |
|---|---|
| 번호 | 191 |
| 기술명 | 임피던스 조정 회로 |
| 출원번호 | 10-2022-0136328 |
| 등록번호 | 10-2760483 |
| 출원일자 | 2022-10-21 |
| 등록일자 | 2025-01-22 |
| TRL(기술성숙도) | TRL 5 |
상세 정보
| 발명의 명칭 | 임피던스 조정 회로 |
|---|---|
| 특허권자 | 전북대학교산학협력단 |
| 발명자 | 임천용, 서용석, 김홍민 |
| 기술보유기관 | 전북대학교 산학협력단 |
| 카테고리 | 융복합소재 |
| 거래 유형 | 협의 |
| 금액(만원) | 협상 |
기술 내용
요약
본 실시예는 등가 커패시턴스를 조정하여 임피던스를 조정하는 임피던스 조정 회로로, 상기 임피던스 조정 회로 는: 대상 커패시터와의 연결에 따라 상기 등가 커패시턴스를 변화시키는 단위 레그(leg)로, 상기 단위 레그는: 기준 전압 레일에 일 전극이 연결되고, 등가적으로 상기 대상 커패시터에 연결되어 상기 등가 커패시턴스를 조정하는 조정 커패시터와, 레그 전압원과 상기 레그 전압원과 직렬로 연결된 두 개의 스위치들과, 상기 두 개의 스 위치들이 연결된 노드에 일 전극이 연결되고, 타 전극은 상기 조정 커패시터의 타 전극과 연결된 제1 인덕터 및 RF 레일과 연결되어 RF 전압이 애노드(anode)로 제공되고, 캐소드가 상기 제1 인덕터의 상기 타 전극에 연결되어 상기 애노드와 상기 캐소드 사이에 접합 커패시턴스가 형성되는 다이오드를 포함하고, 상기 단위 레그와 병렬로 연결되는 병렬 인덕터; 및 상기 등가 커패시턴스가 변화하도록 상기 레그를 제어하는 제어부를 포함하며, 상기 조정 커패시터의 커패시턴스는 상기 접합 커패시터의 커패시턴스에 비하여 5배 이상 큰 값을 가진다.
기술 개요
반도체 에칭·증착 공정에서의 플라즈마 장비 임피던스 매칭 회로
기술 분야
기술은 [0001] 임피던스 조정 회로와 관련된다.
해결하고자 하는 과제
[0005] 종래의 임피던스 매칭 회로에서는 기계적으로 커패시턴스를 가변하는 진공 가변 커패시터가 사용되어 왔다. 하 지만 진공 가변 커패시터는 기계적으로 커패시턴스를 가변하기 때문에 가변 시간이 느려진다는 문제점을 가지고 있다. 커패시턴스를 기계적으로 변화하는데 소요되는 시간은 총 에칭 공정 시간의 30% 을 차지한다. [0006] 또한, RF 레일을 통해 RF 전압을 제공받고 이를 이용해서 플라즈마를 형성하여 반도체 공정을 수행하는 것이 일 반적이다. 그러나, 종래 기술에서는 RF 전압이 구동 회로부에 까지 침투하여 목적하지 않은 노이즈로 작용하여 구동 회로의 오동작을 야기하는 난점이 있었다. [0007] 본 실시예는 종래 기술의 난점을 해소하기 위한 것이다. 즉, 신속하게 커패시턴스를 전기적으로 변화시킬 수 있 는 임피던스 조정 회로를 제공하며, RF 전압의 영향을 감소시키는 것이 본 실시예로 해결하고자 하는 과제 중 하나이다.
효과
[0021] 본 실시예에 의하면, 제어 신호로 신속하게 커패시턴스를 변화시킬 수 있어 반도체의 생산성을 향상시킬 수 있 다는 장점이 제공된다.
적용 분야
임피던스 회로, 반도체 공정
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